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分立半导体
TK16A60W,S4VX参考图片

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TK16A60W,S4VX

  • Toshiba
  • 最新
  • MOSFET N-Ch 600V 15.8A 40W DTMOSIV 1350pF 38nC
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
15.8 A
Rds On-漏源导通电阻
160 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
38 nC
Pd-功率耗散
40 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
DTMOSIV
高度
15 mm
长度
10 mm
系列
TK16A60W
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Toshiba
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
100 ns
典型接通延迟时间
50 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，TK16A60W,S4VX的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BC860C,235
Nexperia
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-13
1:¥1.6159
10:¥1.4238
100:¥0.50737
1,000:¥0.33787
10,000:¥0.22261
20,000:查看
参考库存:34918
PDZVTFTR2.0B
ROHM Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 2-2.24V 40mA SOD-128; PMDTM
1:¥2.8476
10:¥2.1696
100:¥1.1752
1,000:¥0.88366
3,000:¥0.76049
参考库存:15660
MMSZ4690-E3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 5.6 Volt 0.5W 5%
1:¥2.147
10:¥1.4238
100:¥0.69947
500:¥0.5989
10,000:¥0.26894
20,000:查看
参考库存:53307
IPB60R125CPATMA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 600V 25mA D2PAK-2 CoolMOS CP
1:¥44.7254
10:¥37.9567
100:¥32.883
250:¥31.1993
1,000:¥23.5944
2,000:查看
参考库存:6909
PDTC143ZT,235
Nexperia
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 NPN W/RES 50V
1:¥1.3108
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
10,000:¥0.18419
20,000:查看
参考库存:57756
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