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分立半导体
STP2N105K5参考图片

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STP2N105K5

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET N-channel 1050 V, 6 Ohm typ., 1.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220 package
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数量单价合计
1
¥15.6731
15.6731
10
¥13.2888
132.888
100
¥10.5994
1059.94
500
¥9.2999
4649.95
1,000
¥7.7631
7763.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
1.05 kV
Id-连续漏极电流
1.5 A
Rds On-漏源导通电阻
8 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
10 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
60 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STP2N105K5
商标
STMicroelectronics
下降时间
38.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8.5 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
14.5 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格，STP2N105K5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1PS74SB23,125
Nexperia
分立半导体
肖特基二极管与整流器 DIODE SCHOTTKY
1:¥2.8476
10:¥2.2148
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
3,000:¥0.77631
参考库存:16643
GL41B-E3/96
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 1 Amp 100 Volt 30 Amp IFSM
1:¥3.0736
10:¥2.147
100:¥1.4577
500:¥1.1639
1,500:¥0.79891
4,500:查看
参考库存:11205
IRFHM830TRPBF
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 3.8mOhms
1:¥6.3054
10:¥5.2884
100:¥3.4126
1,000:¥2.7233
4,000:¥2.7233
参考库存:18977
DMN2005LPK-7
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET 20V 200mA
1:¥3.3787
10:¥2.3956
100:¥1.10627
1,000:¥0.84524
3,000:¥0.72207
参考库存:24039
FDMA8884
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
MOSFET 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥4.9155
10:¥4.068
100:¥2.6216
1,000:¥2.1018
3,000:¥1.7741
参考库存:24836
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