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SI7850ADP-T1-GE3参考图片

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SI7850ADP-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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数量单价合计
1
¥9.831
9.831
10
¥8.0682
80.682
100
¥6.1924
619.24
500
¥5.3223
2661.15
3,000
¥3.9211
11763.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
19.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.8 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
11.1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
35.7 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
21 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
10 ns
典型接通延迟时间
7 ns
商品其它信息
优势价格，SI7850ADP-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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