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分立半导体
TSM9NB50CZ C0G参考图片

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TSM9NB50CZ C0G

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库存:52,590(价格仅供参考)
数量单价合计
4,000
¥3.8985
15594
5,000
¥3.7064
18532
10,000
¥3.6273
36273
25,000
¥3.5482
88705
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
9 A
Rds On-漏源导通电阻
720 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
44 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Taiwan Semiconductor
下降时间
5.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
46.8 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13.3 ns
典型接通延迟时间
27.4 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,TSM9NB50CZ C0G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET NFET SO8FL 30V
1:¥5.763
10:¥4.7686
100:¥3.0849
1,000:¥2.4634
5,000:¥2.0792
参考库存:26687
分立半导体
稳压二极管 100 Volt 20W 6%
1:¥10.9836
10:¥9.0626
100:¥6.9721
500:¥5.989
2,500:¥4.407
5,000:查看
参考库存:26692
分立半导体
MOSFET MOSFET P-CH
3,000:¥0.7684
9,000:¥0.70738
24,000:¥0.66105
参考库存:26697
分立半导体
稳压二极管 36 Volt 1.0W 10%
1:¥4.5313
10:¥3.6838
100:¥2.8024
500:¥2.3052
1,500:¥1.6724
4,500:查看
参考库存:26702
分立半导体
MOSFET 20V 4.0A 2.0W 80 mohms @ 10V
1:¥4.5313
10:¥3.6838
100:¥2.8024
500:¥2.3052
3,000:¥1.8419
6,000:查看
参考库存:26707
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