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分立半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Infineon
产品种类	二极管 - 通用，功率，开关
RoHS	是
产品	Power Diodes
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	TO-263-3
峰值反向电压	600 V
最大浪涌电流	117 A
If - 正向电流	30 A
配置	Single
恢复时间	126 ns
Vf - 正向电压	2 V
Ir - 反向电流	50 uA
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 175 C
系列	IDB30E60
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
高度	4.4 mm
长度	10 mm
端接类型	SMD/SMT
类型	Switching Diode
宽度	9.25 mm
商标	Infineon Technologies
Pd-功率耗散	142.9 W
产品类型	Diodes - General Purpose, Power, Switching
工厂包装数量	1000
子类别	Diodes & Rectifiers
零件号别名	IDB30E60ATMA1 IDB3E6XT SP000013917
单位重量	1.600 g

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
MRF157	Advanced Semiconductor, Inc.	分立半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor	1:¥3,957.26 10:¥3,780.528	参考库存:42347
Q6010N5TP	Littelfuse	分立半导体	PDF数据手册	双向可控硅 600V 10A 50-50-50mA	1:¥20.3626 10:¥16.4415 100:¥13.1419 500:¥11.30 1,000:¥9.2999	参考库存:42352
VS-150UR60D	Vishay Semiconductors	分立半导体	PDF数据手册	整流器 600 Volt 150 Amp	25:¥256.6456 50:¥248.5774 100:¥240.5883 250:¥224.5988	参考库存:42357
SBR1A30T5-7	Diodes Incorporated	分立半导体	PDF数据手册	肖特基二极管与整流器 SBR Diode	1:¥3.6838 10:¥2.7911 100:¥1.5142 1,000:¥1.1413 3,000:¥0.97632 9,000:¥0.91417	参考库存:18962
TPC6503(TE85L,F,M)	Toshiba	分立半导体	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN hFE 400 to 1000 VCE 0.12V tF 45ns	1:¥3.6838 10:¥2.7007 100:¥1.695 1,000:¥1.2656 3,000:¥1.08367	参考库存:42364