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SIR112DP-T1-RE3

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数量单价合计
1
¥10.6785
10.6785
10
¥8.7575
87.575
100
¥6.7687
676.87
500
¥5.8195
2909.75
1,000
¥4.5991
4599.1
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
133 A
Rds On-漏源导通电阻
1.96 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
59 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
62.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
SIR
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
151 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
27 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
28 ns
典型接通延迟时间
15 ns
商品其它信息
优势价格，SIR112DP-T1-RE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CMOZ13L TR
Central Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 350mW 5% Tolerance
6,000:¥1.4012
9,000:¥1.2995
24,000:¥1.2317
45,000:¥1.2091
参考库存:158574
HS2G R4G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 2A,400V, GP HIGH EFFICIENT SMD RECTIFIER
6,000:¥0.86106
9,000:¥0.81473
参考库存:58088
1SMA4762 R2G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 1W, 82V, 5% ZENER DIODE, SMA
1:¥3.842
10:¥2.7685
100:¥1.6159
1,000:¥0.68365
7,500:¥0.47686
22,500:查看
参考库存:58093
CZ5348B
Central Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 11V 5.0W
2,000:¥3.0849
10,000:¥2.9719
25,000:¥2.8815
参考库存:58098
BZD17C33P RQG
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 0,8W, 33V, ZENER
10,000:¥0.66105
20,000:¥0.62263
50,000:¥0.5537
参考库存:58103
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