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分立半导体
GS66508T-E02-MR参考图片

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GS66508T-E02-MR

  • GaN Systems
  • 最新
  • MOSFET 650V 30A E-Mode GaN
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数量单价合计
1
¥124.865
124.865
10
¥120.8648
1208.648
25
¥115.1809
2879.5225
250
¥106.9658
26741.45
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
GaN Systems
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
GaN
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
GaNPX-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
55 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
7 V
Qg-栅极电荷
5.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.54 mm
长度
7 mm
产品
MOSFET
系列
GS6650x
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
GaN Systems
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
零件号别名
GS66508T-E02-MR
商品其它信息
优势价格，GS66508T-E02-MR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N821AUR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
1:¥48.1832
10:¥38.646
25:¥38.0358
100:¥35.2673
参考库存:1644
PB4008-E3/45
Vishay Semiconductors
分立半导体
桥式整流器 40A,800V Enhanced Power Bridge
1:¥25.4363
10:¥21.0519
100:¥17.3681
250:¥16.8257
500:¥15.0629
参考库存:13231
T610T-8T
STMicroelectronics
分立半导体
双向可控硅 Logic Level 6A TRIAC
1:¥8.0682
10:¥6.8704
100:¥5.2658
500:¥4.6669
参考库存:11068
IGW50N65F5AXKSA1
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥47.1775
10:¥42.6462
25:¥40.7252
100:¥35.3464
参考库存:2700
IAUS300N08S5N014ATMA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET OptiMOS -5 Power-Transistor
1:¥48.5674
10:¥43.957
25:¥41.8778
100:¥36.3408
参考库存:10502
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