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分立半导体
SIHU6N65E-GE3参考图片

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SIHU6N65E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 650V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
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数量单价合计
1
¥13.0628
13.0628
10
¥10.9158
109.158
100
¥8.4524
845.24
500
¥7.4015
3700.75
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
7 A
Rds On-漏源导通电阻
600 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
24 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
78 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
6.22 mm
长度
6.73 mm
系列
E
宽度
2.39 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
75
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
14 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格，SIHU6N65E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMG563H40R
Panasonic
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双极晶体管 - 预偏置 COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
3,000:¥0.69156
9,000:¥0.63054
24,000:¥0.59212
45,000:¥0.52206
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VS-70HFL10S05
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100:¥80.2187
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278:¥25.6623
500:¥22.9729
1,000:¥19.3682
2,500:¥18.4416
参考库存:29050
SBR3045
Microsemi
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky Rectifier
100:¥307.134
250:¥280.692
参考库存:29055
RJU6054SDPE-00#J3
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1:¥20.0575
10:¥18.1365
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100:¥14.5205
参考库存:29060
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