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分立半导体
TSM10N80CI C0G参考图片

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TSM10N80CI C0G

  • Taiwan Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET 800V 10A N Channel Power Mosfet
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数量单价合计
1
¥28.4308
28.4308
10
¥25.4363
254.363
25
¥22.8938
572.345
100
¥20.8259
2082.59
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
ITO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
9.5 A
Rds On-漏源导通电阻
900 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
53 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Taiwan Semiconductor
正向跨导 - 最小值
6.3 S
下降时间
72 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
62 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
256 ns
典型接通延迟时间
63 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，TSM10N80CI C0G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VS-ST730C12L1L
Vishay Semiconductors
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SCR Thyristors - B-PUK
1:¥1,028.1192
5:¥1,007.9148
10:¥960.9633
25:¥940.7476
参考库存:41979
DMJ65H190SCTI
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1:¥25.5832
10:¥21.7412
100:¥18.8258
250:¥17.8992
500:¥16.0573
参考库存:41984
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1:¥1,433.292
5:¥1,398.7931
10:¥1,364.0682
25:¥1,344.926
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VS-20CTQ040STRR-M3
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1:¥13.447
10:¥11.2209
100:¥8.6784
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2,500:¥0.5537
10,000:¥0.49155
25,000:¥0.46104
50,000:¥0.41471
参考库存:41999
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