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分立半导体
CSD18536KTTT参考图片

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CSD18536KTTT

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET SMALL REEL OF KTT PKG
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数量单价合计
1
¥37.0414
37.0414
10
¥33.3463
333.463
50
¥33.3463
1667.315
100
¥27.2782
2727.82
250
¥25.5832
6395.8
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
否
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
200 A
Rds On-漏源导通电阻
1.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.8 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
140 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
375 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
19.7 mm
长度
9.25 mm
系列
CSD18536KTT
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
10.26 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
312 S
下降时间
4 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24 ns
典型接通延迟时间
11 ns
商品其它信息
优势价格，CSD18536KTTT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMN63D1LV-7
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET MOSFETBVDSS: 41V-60V
1:¥3.842
10:¥2.8928
100:¥1.5707
1,000:¥1.1752
3,000:¥1.01474
参考库存:394670
BUK661R9-40C,118
Nexperia
分立半导体
MOSFET N-CHAN 40V 120A
1:¥17.1308
10:¥14.5205
100:¥11.6842
500:¥10.2152
800:¥8.4524
参考库存:28672
U350
InterFET
分立半导体
JFET JFET N-Channel -25V 25mA 400mW 3.2mW
1:¥319.4962
10:¥299.0658
25:¥276.5449
100:¥259.109
参考库存:42226
VS-20ETF06STRR-M3
Vishay / Siliconix
分立半导体
整流器 New Input Diodes - D2PAK-e3
1:¥22.8938
10:¥19.0518
100:¥14.7578
500:¥12.9046
参考库存:42231
DMG7N65SJ3
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS: 501V-650V
1:¥7.458
10:¥6.328
100:¥4.859
500:¥4.294
1,000:¥3.39
参考库存:6934
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