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分立半导体
NSS20101JT1G参考图片

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NSS20101JT1G

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 20V NPN LOW VCE(SAT)
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数量单价合计
1
¥2.7685
2.7685
10
¥1.8419
18.419
100
¥0.7684
76.84
1,000
¥0.52206
522.06
3,000
¥0.4068
1220.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-89-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
20 V
集电极—基极电压 VCBO
40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
最大直流电集电极电流
2 A
增益带宽产品fT
350 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
NSS20101J
高度
0.7 mm
长度
1.6 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
0.85 mm
商标
ON Semiconductor
Pd-功率耗散
300 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
2.700 mg
商品其它信息
优势价格，NSS20101JT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VS-10CTQ150STRL-M3
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky - D2PAK-e3
1:¥11.1418
10:¥9.2208
100:¥7.0286
500:¥6.0455
1,000:¥4.7686
参考库存:7932
SD103BWS-HG3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY DIODE SOD323-HG3
1:¥3.4578
10:¥1.9436
100:¥1.04525
500:¥0.83733
参考库存:77434
TFZVTR2.4B
ROHM Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Pd 500mW Iz(mA) Zener Diode
1:¥2.6894
10:¥1.8758
100:¥0.78422
1,000:¥0.53788
3,000:¥0.42262
参考库存:30121
SBR10B45P5-7
Diodes Incorporated
分立半导体
肖特基二极管与整流器 45Vrrm 10A 0.55Vf 0.38mA SBR PowerDI5
1:¥3.842
10:¥3.1527
100:¥1.9323
1,000:¥1.4916
1,500:¥1.2656
参考库存:5818
2SC5086-O,LF
Toshiba
分立半导体
射频(RF)双极晶体管 Radio-Frequency Bipolar Transistor
1:¥3.1527
10:¥2.0792
100:¥1.1639
1,000:¥0.84524
3,000:¥0.72998
参考库存:115015
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