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分立半导体
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RZE002P02TL

  • ROHM Semiconductor
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  • MOSFET 1.2V DRVE PCH MOSFET
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数量单价合计
1
¥3.4578
3.4578
10
¥2.1922
21.922
100
¥0.94468
94.468
1,000
¥0.72207
722.07
3,000
¥0.5537
1661.1
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-416-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
200 mA
Rds On-漏源导通电阻
1.2 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
1.4 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
150 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
RZE002P02
晶体管类型
1 P-Channel
商标
ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值
0.2 S
下降时间
17 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
17 ns
典型接通延迟时间
6 ns
零件号别名
RZE002P02
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，RZE002P02TL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZD27C11P R2
Taiwan Semiconductor
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7,500:¥0.80682
参考库存:60011
1N4733G R0
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20,000:¥0.31527
45,000:¥0.29945
100,000:¥0.26103
参考库存:60016
CZ5359B BK
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2,000:¥3.4804
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6,000:¥0.91417
9,000:¥0.86784
参考库存:60026
DBLS155G RDG
Taiwan Semiconductor
分立半导体
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3,000:¥1.6272
参考库存:60031
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