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分立半导体
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FGA6560WDF

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数量单价合计
1
¥42.3411
42.3411
10
¥36.0357
360.357
100
¥31.1993
3119.93
250
¥29.5834
7395.85
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3PN
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
120 A
Pd-功率耗散
306 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
FGA6560WDF
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
120 A
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
400 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
单位重量
6.401 g
商品其它信息
优势价格，FGA6560WDF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N973B-1
Microsemi
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稳压二极管
455:¥15.6731
500:¥14.0572
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2,500:¥11.30
参考库存:43305
2N2920L
Microsemi
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥241.5827
250:¥220.7568
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1N3274
Microsemi
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整流器 Std Rectifier
100:¥792.7628
参考库存:43315
CDLL5229B
Microsemi
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329:¥21.5943
500:¥19.21
1,000:¥16.2155
2,500:¥15.4471
参考库存:43320
JAN2N5582
Microsemi
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
105:¥74.9981
250:¥68.93
500:¥62.8506
1,000:¥54.7146
参考库存:43325
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