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分立半导体
DMT6016LFDF-7参考图片

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DMT6016LFDF-7

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • MOSFET 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A
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1
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10
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36.16
100
¥2.2035
220.35
1,000
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1706.3
3,000
¥1.4577
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
U-DFN2020-F-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
8.9 A
Rds On-漏源导通电阻
16 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
17 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.9 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMT60
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
6.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.2 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12.9 ns
典型接通延迟时间
3.4 ns
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SML4746HE3/5A
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6,000:¥9.9101
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