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分立半导体
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FDB082N15A

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数量单价合计
1
¥36.5781
36.5781
10
¥31.1202
311.202
100
¥26.9731
2697.31
250
¥25.5832
6395.8
500
¥22.8938
11446.9
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
105 A
Rds On-漏源导通电阻
6.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
64.5 nC
Pd-功率耗散
231 W
配置
Single
商标名
PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
系列
FDB082N15A
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.65 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
139 S
下降时间
26 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
58 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
单位重量
1.300 g
商品其它信息
优势价格，FDB082N15A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CSD17310Q5A
Texas Instruments
分立半导体
MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET
1:¥6.9156
10:¥5.9212
100:¥4.5539
500:¥4.0228
2,500:¥2.8137
10,000:查看
参考库存:53081
VT3045C-M3/4W
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30A 45V DUAL TrenchMOS
1:¥16.3624
10:¥13.6052
100:¥10.5316
500:¥9.2208
1,000:¥7.6275
参考库存:12378
NPTB00004A
MACOM
分立半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-6.0GHz 5W Gain 16dB GaN HEMT
1:¥118.0285
10:¥107.1127
25:¥99.2818
50:¥93.5866
参考库存:5370
FQD17P06TM
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
MOSFET 60V P-Channel QFET
1:¥5.8421
10:¥4.9155
100:¥3.164
1,000:¥2.5312
2,500:¥2.2713
参考库存:150467
C3D10060A
Wolfspeed / Cree
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SIC SCHOTTKY DIODE 600V, 10A
1:¥37.0414
100:¥30.8942
500:¥26.4307
1,000:¥23.1311
参考库存:25209
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