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分立半导体
CSD75208W1015参考图片

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CSD75208W1015

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET 20V P-channel NexFET Pwr MOSFET
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数量单价合计
1
¥4.3053
4.3053
10
¥3.616
36.16
100
¥2.1809
218.09
1,000
¥1.695
1695
3,000
¥1.4464
4339.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DSBGA-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
1.6 A
Rds On-漏源导通电阻
68 mOhms, 108 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
500 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
2.5 nC,
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
750 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.625 mm
长度
1.5 mm
系列
CSD75208W1015
晶体管类型
2 P-Channel
宽度
1 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
7.5 S
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
29 ns
典型接通延迟时间
9 ns
单位重量
1.400 mg
商品其它信息
优势价格,CSD75208W1015的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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