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分立半导体
STGWA60H65DFB参考图片

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STGWA60H65DFB

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed
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数量单价合计
1
¥40.6461
40.6461
10
¥34.578
345.78
100
¥29.9676
2996.76
250
¥28.4308
7107.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
375 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWA60H65DFB
集电极最大连续电流 Ic
80 A
高度
5.15 mm
长度
20.15 mm
工作温度范围
- 55 C to + 175 C
宽度
15.75 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
80 A
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，STGWA60H65DFB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DB104S-G
Comchip Technology
分立半导体
桥式整流器 VR=400V, IO=1A
1:¥3.7629
10:¥2.8024
100:¥1.9097
1,000:¥1.3221
参考库存:5388
1N5244BTR
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
稳压二极管 14V 0.5W Zener
1:¥1.07576
10:¥0.92999
100:¥0.32996
1,000:¥0.22261
5,000:¥0.1695
10,000:¥0.14577
参考库存:224920
BZT52H-C11,115
Nexperia
分立半导体
稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT
1:¥2.4634
10:¥1.6272
100:¥0.68365
1,000:¥0.46104
3,000:¥0.3616
参考库存:6562
DDZ13ASF-7
Diodes Incorporated
分立半导体
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1:¥1.2317
10:¥1.05316
100:¥0.37629
1,000:¥0.24634
3,000:¥0.1921
参考库存:43614
DMN65D8LFB-7
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET 60V N-Ch Dual Enh 20Vgss 300mW Pd
1:¥2.4634
10:¥1.6272
100:¥0.68365
1,000:¥0.46104
3,000:¥0.3616
参考库存:58436
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