MUN5116DW1T1G详细参数_参考价格_MUN5116DW1T1G PDF资料_ON Semiconductor

分立半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ON Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Dual
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	4.7 kOhms
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SC-88-6
直流集电极/Base Gain hfe Min	160
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	- 0.1 A
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	250 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	MUN5116DW1
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	160 at 5 mA at 10 V
高度	0.9 mm
长度	2 mm
宽度	1.25 mm
商标	ON Semiconductor
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
IPD30N03S2L-10	Infineon Technologies	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 30V 30A DPAK-2 OptiMOS	1:¥6.2263 10:¥5.2319 100:¥3.3787 1,000:¥2.7007 2,500:¥2.2826	参考库存:2735
DF01S-E3/45	Vishay Semiconductors	分立半导体	PDF数据手册	桥式整流器 1.0 Amp 100 Volt	1:¥5.2997 10:¥4.2375 100:¥3.2205 500:¥2.6555 1,000:¥2.2261	参考库存:27572
BAT54W-G3-18	Vishay Semiconductors	分立半导体	PDF数据手册	肖特基二极管与整流器 30Volt 200mA Single	1:¥2.9945 10:¥1.7176 100:¥0.92208 500:¥0.73789 10,000:¥0.3842 20,000:查看	参考库存:47539
ZXMN10A08DN8TA	Diodes Incorporated	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET 100V 2.1A N-Channel Enhancement MOSFET	1:¥6.8365 10:¥5.6839 100:¥3.6725 500:¥3.6725 1,000:¥2.938	参考库存:7336
BSC057N03MS G	Infineon Technologies	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 30V 71A TDSON-8 OptiMOS 3M	1:¥6.0681 10:¥5.0963 100:¥3.2883 1,000:¥2.6329 5,000:¥2.6329	参考库存:56288