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分立半导体
ZXMN10A08DN8TA参考图片

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ZXMN10A08DN8TA

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • MOSFET 100V 2.1A N-Channel Enhancement MOSFET
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数量单价合计
1
¥6.8365
6.8365
10
¥5.6839
56.839
100
¥3.6725
367.25
500
¥3.6725
1836.25
1,000
¥2.938
2938
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
2.1 A
Rds On-漏源导通电阻
250 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.8 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.5 mm
长度
5 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
ZXMN10
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
4 mm
商标
Diodes Incorporated
下降时间
2.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.2 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
8 ns
典型接通延迟时间
3.4 ns
单位重量
74 mg
商品其它信息
优势价格，ZXMN10A08DN8TA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZX84B12-E3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 12 Volt 0.35Watt 2%
1:¥1.921
10:¥1.2882
100:¥0.63054
500:¥0.53788
3,000:¥0.32318
6,000:查看
参考库存:72243
BZX384-B56,115
Nexperia
分立半导体
稳压二极管 300MW 56V
1:¥2.0792
10:¥1.4238
100:¥0.59212
1,000:¥0.4068
3,000:¥0.31527
参考库存:32280
1N4756A-TR
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 47 Volt 1.3 Watt
1:¥2.2261
10:¥1.4803
100:¥0.72998
500:¥0.62263
5,000:¥0.32318
10,000:查看
参考库存:97197
BZM55C20-TR
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 20 Volt 0.5W 5%
1:¥1.7628
10:¥1.2091
100:¥0.5989
500:¥0.50737
2,500:¥0.30736
5,000:查看
参考库存:139034
BZX79C6V8-T50A
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
稳压二极管 6.8V 0.5W Zener
1:¥0.99892
10:¥0.92999
100:¥0.32996
1,000:¥0.22261
5,000:¥0.1695
参考库存:71501
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