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分立半导体
3SK292(TE85R,F)参考图片

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3SK292(TE85R,F)

  • Toshiba
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF High Freq VHF/UHF SMQ 4-Pin N-Ch 0.1
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数量单价合计
1
¥4.3053
4.3053
10
¥3.1979
31.979
100
¥2.0114
201.14
1,000
¥1.5029
1502.9
3,000
¥1.2882
3864.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
30 mA
Vds-漏源极击穿电压
12.5 V
增益
26 dB
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 125 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SMQ-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
500 MHz
系列
3SK292
类型
RF Small Signal MOSFET
商标
Toshiba
Pd-功率耗散
150 mW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
商品其它信息
优势价格,3SK292(TE85R,F)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双向可控硅 40 Amp 800 Volt
1:¥49.3358
10:¥41.9569
100:¥36.3408
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参考库存:4234
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1:¥7.0738
10:¥5.65
100:¥4.2827
500:¥3.5369
1,000:¥2.8363
2,000:¥2.5651
参考库存:23956
分立半导体
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1:¥18.3625
10:¥15.594
100:¥12.5204
500:¥10.9158
1,000:¥9.0626
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分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 40V HIGH GAIN
1:¥4.7686
10:¥4.0002
100:¥2.4408
1,000:¥1.8871
3,000:¥1.6046
参考库存:32165
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7
1:¥2.2261
10:¥1.5594
100:¥0.65314
1,000:¥0.44522
3,000:¥0.34578
参考库存:171667
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