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分立半导体
CSD17483F4T参考图片

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CSD17483F4T

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET 30V,N-Ch FemtoFET MOSFET
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数量单价合计
1
¥3.616
3.616
10
¥2.6894
26.894
100
¥0.99892
99.892
250
¥0.99892
249.73
1,000
¥0.7684
768.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PICOSTAR-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
1.5 A
Rds On-漏源导通电阻
230 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
850 mV
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
1.01 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.35 mm
长度
1 mm
系列
CSD17483F4
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
0.64 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
2.4 S
下降时间
3.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
1.3 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
10.6 ns
典型接通延迟时间
3.3 ns
单位重量
0.400 mg
商品其它信息
优势价格，CSD17483F4T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TS4B07GHD2
Taiwan Semiconductor
分立半导体
桥式整流器 4A, 1000V, SIL 7.5/7.5/7.5MM BRIDGE RECTIFIER
1:¥8.1473
10:¥7.458
100:¥5.7404
500:¥4.2488
1,000:¥3.1414
参考库存:34623
1N4464US/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
1:¥87.2925
10:¥79.3034
25:¥73.3822
50:¥69.4611
100:¥67.461
参考库存:34628
MB200
Microsemi
分立半导体
整流器
1:¥406.2576
2:¥398.7996
5:¥394.2683
10:¥382.3581
参考库存:34633
1N4135UR-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
1:¥37.0414
10:¥29.7416
100:¥27.12
250:¥24.5097
参考库存:34638
IPW65R070C6FKSA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 700V 53.5A TO247-3 CoolMOS C6
1:¥73.224
10:¥66.1615
25:¥63.0879
100:¥54.7824
参考库存:34643
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