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分立半导体
TSM80N1R2CI C0G参考图片

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TSM80N1R2CI C0G

  • Taiwan Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET 800V, 5.5A, Single N Channel Power MOSFET
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数量单价合计
1
¥17.289
17.289
10
¥15.594
155.94
100
¥12.5995
1259.95
500
¥9.831
4915.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
5.5 A
Rds On-漏源导通电阻
900 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
19.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
25 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Taiwan Semiconductor
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
55 ns
典型接通延迟时间
22 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格，TSM80N1R2CI C0G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CDLL4121
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
264:¥26.9731
500:¥24.0464
1,000:¥20.2835
2,500:¥18.7467
5,000:¥17.7523
参考库存:48893
1N4490US
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
100:¥78.6819
250:¥71.7663
500:¥67.0768
1,000:¥61.5511
参考库存:48898
UPA2814T1S-E2-AT
Renesas Electronics
分立半导体
MOSFET MOSFET
1:¥9.379
10:¥8.2264
25:¥7.4806
100:¥6.5427
5,000:¥3.5595
参考库存:48903
1N4752AG/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥29.1992
244:¥29.1992
500:¥26.2047
1,000:¥22.0576
2,500:¥20.9728
参考库存:48908
1N1191A
Microsemi
分立半导体
整流器 Std Rectifier
100:¥414.0885
参考库存:48913
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