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分立半导体

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BSM35GD120DLCE3224

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数量单价合计
1
¥912.7801
912.7801
5
¥895.9544
4479.772
10
¥855.6925
8556.925
25
¥827.1035
20677.5875
询价数量:
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参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
在25 C的连续集电极电流
70 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
280 W
封装 / 箱体
EconoPACK 2A
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
107.5 mm
宽度
45 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM35GD120DLCE3224BOSA1 SP000100390
商品其它信息
优势价格,BSM35GD120DLCE3224的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur Power
1:¥5.763
10:¥4.7912
100:¥3.0962
1,000:¥2.486
参考库存:2374
分立半导体
稳压二极管 5W 19V
1:¥6.6896
10:¥5.1528
100:¥4.4861
250:¥3.9098
3,000:¥2.3391
6,000:查看
参考库存:31546
分立半导体
整流器 1300 Volt 1.0A 75ns Glass Passivated
1:¥4.6104
10:¥3.6838
100:¥2.8024
500:¥2.3052
6,500:¥1.5594
13,000:查看
参考库存:34188
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 0.1A 47kO SOT-23
1:¥2.3052
10:¥1.5255
100:¥0.63732
1,000:¥0.43844
3,000:¥0.33787
参考库存:31690
分立半导体
IGBT 晶体管 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
1:¥39.1884
10:¥33.3463
100:¥28.8941
250:¥27.4364
参考库存:3942
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