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分立半导体

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FS150R12KT4

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数量单价合计
1
¥1,407.5506
1407.5506
5
¥1,373.6732
6868.366
10
¥1,339.5472
13395.472
25
¥1,320.8005
33020.0125
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
在25 C的连续集电极电流
150 A
封装 / 箱体
Econo 3
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
122 mm
宽度
62 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FS150R12KT4BOSA1 SP000369613
单位重量
300 g
商品其它信息
优势价格,FS150R12KT4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管
50:¥1,172.9626
参考库存:51905
分立半导体
MOSFET TO-220 MOSFET
3,000:¥2.1809
4,000:¥1.9888
10,000:¥1.808
24,000:¥1.7854
参考库存:51910
分立半导体
整流器 Recovery Diode Ultra Fast
1:¥23.8995
10:¥20.2835
100:¥17.5941
250:¥16.6788
500:¥14.9838
参考库存:7273
分立半导体
稳流二极管
50:¥1,175.1096
100:¥1,175.1096
参考库存:51917
分立半导体
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
1:¥60.3194
10:¥54.4773
25:¥51.9461
100:¥45.1096
参考库存:7280
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