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分立半导体
STGW25H120DF2参考图片

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STGW25H120DF2

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
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数量单价合计
1
¥60.3194
60.3194
10
¥54.4773
544.773
25
¥51.9461
1298.6525
100
¥45.1096
4510.96
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
Pd-功率耗散
375 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW25H120DF2
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
25 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,STGW25H120DF2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT
1:¥2.3843
10:¥1.6272
100:¥0.68365
1,000:¥0.46104
3,000:¥0.3616
参考库存:47969
分立半导体
IGBT 模块 HYBRID PACK 2
1:¥5,082.6609
5:¥4,776.3744
参考库存:1236
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30mA 60 Volt 2.0 Amp IFSM
1:¥2.9154
10:¥1.6724
100:¥0.89157
500:¥0.71416
10,000:¥0.36838
20,000:查看
参考库存:45223
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 DIODE SW TAPE-7
1:¥2.5312
10:¥1.6724
100:¥0.71416
1,000:¥0.5537
3,000:¥0.41471
参考库存:31225
分立半导体
稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT
1:¥2.3052
10:¥1.5255
100:¥0.63732
1,000:¥0.43844
5,000:¥0.33787
参考库存:176227
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