您好!欢迎来到隆乾胜芯城 登录 注册

产品分类

分立半导体
IGW25N120H3参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

IGW25N120H3

购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • *联系人:
  • *电话:
  • QQ:
  • *邮箱:
 公司名:  微信:
库存:15,495(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥42.1829
42.1829
10
¥35.8888
358.888
100
¥31.1202
3112.02
250
¥29.5043
7376.075
500
¥26.4307
13215.35
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.05 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
Pd-功率耗散
326 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
HighSpeed 3
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
600 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGW25N120H3FKSA1 IGW25N12H3XK SP000674424
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IGW25N120H3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-Channel MOSFET, SOT-23 package
1:¥4.3053
10:¥3.1188
100:¥1.8419
1,000:¥0.80682
30,000:¥0.52206
48,000:查看
参考库存:101119
分立半导体
整流器 Diode, 1A, 400V
1:¥1.6159
10:¥1.4577
100:¥0.97632
1,000:¥0.32996
7,500:¥0.2147
22,500:查看
参考库存:108466
分立半导体
MOSFET N-Ch 100V 35A TO220FP-3 OptiMOS 3
1:¥12.7577
10:¥10.8367
100:¥8.6784
500:¥7.6049
1,000:¥6.3054
参考库存:49750
分立半导体
稳压二极管 Zener Diode 200mW, 5.6V
1:¥3.5369
10:¥1.9436
100:¥0.92999
1,000:¥0.63732
4,000:¥0.48364
参考库存:21813
分立半导体
肖特基二极管与整流器 350mA 20V
1:¥3.2318
10:¥1.8306
100:¥1.06785
500:¥0.86784
3,000:¥0.5537
9,000:查看
参考库存:14230
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市隆乾胜科技有限公司

电话:0755-82331103

手机:13048971103

传真:0755-82331102

Email:1531762882@qq.com

Q Q:

地址:深圳市福田区南园路66号佳兆业中心B座2F


微信联系我们

Copyright © 2010-2021 深圳市隆乾胜科技有限公司 粤ICP备2021106032号