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分立半导体
IPA126N10N3 G参考图片

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IPA126N10N3 G

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • MOSFET N-Ch 100V 35A TO220FP-3 OptiMOS 3
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库存:49,750(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.7577
12.7577
10
¥10.8367
108.367
100
¥8.6784
867.84
500
¥7.6049
3802.45
1,000
¥6.3054
6305.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
35 A
Rds On-漏源导通电阻
12.6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
9 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
33 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
16.15 mm
长度
10.65 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.85 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
IPA126N10N3GXKSA1 IPA126N1N3GXK SP000485964
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IPA126N10N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 30V N-ch NexFET Pwr MOSFET
1:¥12.1362
10:¥10.2943
100:¥8.2264
500:¥7.1981
2,500:¥5.5596
5,000:查看
参考库存:51875
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY 90V 100MA
1:¥3.3787
10:¥2.7572
100:¥1.6837
1,000:¥1.2995
8,000:¥1.03734
24,000:查看
参考库存:30683
分立半导体
肖特基二极管与整流器 1A,20V, SMD SCHOTTKY RECTIFIER
1:¥3.2996
10:¥2.0001
100:¥1.3786
500:¥0.78422
1,800:¥0.50737
9,000:查看
参考库存:30575
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Diode (Rectifier FRD) 60V-VR 3A-IO 70A-IFSM Single
1:¥4.5313
10:¥3.7629
100:¥2.2939
1,000:¥1.7741
1,500:¥1.7741
参考库存:4032
分立半导体
肖特基二极管与整流器 80V - 35A Schottky Rectifier
1:¥142.8433
10:¥129.8596
20:¥120.0964
50:¥113.7232
参考库存:3834
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