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分立半导体
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BLV31

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数量单价合计
1
¥668.508
668.508
10
¥557.09
5570.9
25
¥501.381
12534.525
50
¥445.672
22283.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
15
集电极—发射极最大电压 VCEO
30 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极连续电流
3 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
SOT-122A
封装
Tray
工作频率
224 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
最大直流电集电极电流
6 A
Pd-功率耗散
7 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,BLV31的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Automotive high voltage power Schottky rectifier
1:¥3.6838
10:¥2.7572
100:¥1.5029
1,000:¥1.12209
参考库存:201818
分立半导体
MOSFET -60V7.7MOHMSINGLE
1:¥22.4418
10:¥19.0518
100:¥15.2098
500:¥13.2888
1,500:¥10.2943
4,500:查看
参考库存:25045
分立半导体
SCR 0.8 Amp 400 Volt
1:¥3.1527
10:¥2.6103
100:¥1.5933
1,000:¥1.2317
参考库存:19812
分立半导体
MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
1:¥8.8366
10:¥7.571
100:¥5.8082
500:¥5.1415
5,000:¥3.5934
10,000:查看
参考库存:21874
分立半导体
MOSFET SO-8 P-CH -20V
1:¥6.3054
10:¥5.1754
100:¥3.3448
1,000:¥2.6781
2,500:¥2.26
参考库存:35246
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