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分立半导体
STL8N10F7参考图片

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STL8N10F7

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET N-channel 100 V, 0.017 Ohm typ., 35 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3.3 package
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数量单价合计
1
¥13.8312
13.8312
10
¥11.752
117.52
100
¥9.379
937.9
500
¥8.2264
4113.2
1,000
¥6.78
6780
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT-3.3x3.3-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
35 A
Rds On-漏源导通电阻
17 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
25 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
50 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
STripFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STL8N10F7
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
17 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24 ns
典型接通延迟时间
15 ns
商品其它信息
优势价格，STL8N10F7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MBR3045CTF-G1
Diodes Incorporated
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky Rectifier
1:¥5.763
10:¥4.746
100:¥3.0623
1,000:¥2.4521
参考库存:51478
GBPC4008 T0
Taiwan Semiconductor
分立半导体
桥式整流器 40A 800V
1:¥33.0412
10:¥28.6568
50:¥23.2102
100:¥19.8993
500:¥16.7466
参考库存:10218
CDBD1040-G
Comchip Technology
分立半导体
肖特基二极管与整流器 VR=40V IO=10A
1:¥8.1473
10:¥6.5088
100:¥5.0059
500:¥4.4183
800:¥3.4917
参考库存:51485
2SC4617EBTLP
ROHM Semiconductor
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT NPN 50V 0.15A
1:¥1.695
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:51490
MBRS1060 RNG
Taiwan Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 10A,60V,SINGLE SCHOTTKY RECTIFIER
1:¥6.9156
10:¥6.0681
25:¥5.5144
100:¥4.7912
800:¥2.7572
2,400:查看
参考库存:51495
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