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分立半导体
ZXTN25012EFLTA参考图片

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ZXTN25012EFLTA

  • Diodes Incorporated
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 12V HG Trans.
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1
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3.1527
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26.329
100
¥1.6159
161.59
1,000
¥1.243
1243
3,000
¥1.05994
3179.82
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
12 V
集电极—基极电压 VCBO
20 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
最大直流电集电极电流
2 A
增益带宽产品fT
260 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZXTN250
高度
1.02 mm
长度
3.04 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.4 mm
商标
Diodes Incorporated
Pd-功率耗散
350 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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6,000:¥10.9158
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