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分立半导体
SIR876ADP-T1-GE3参考图片

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SIR876ADP-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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库存：14,069(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.9046
12.9046
10
¥10.7576
107.576
100
¥8.2942
829.42
500
¥7.2659
3632.95
1,000
¥6.9156
6915.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
49 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
62.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIR
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
54 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
28 ns
典型接通延迟时间
11 ns
零件号别名
SIR876ADP-GE3
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格，SIR876ADP-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VSSAF510HM3/I
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 5A, 100V,SlimSMA AEC-Q101 Qualified
14,000:¥0.89157
28,000:¥0.82264
参考库存:38925
IFF600B12ME4S8PB11BOSA1
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 模块 Description:
6:¥1,917.158
12:¥1,869.5172
30:¥1,843.3125
参考库存:38930
SMBJ5928AE3/TR13
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
3,000:¥4.7912
6,000:¥4.6895
9,000:¥4.6104
参考库存:38935
STP26N65DM2
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET
1:¥22.3627
10:¥18.984
100:¥16.4415
250:¥15.594
参考库存:1912
UES1302E3/TR
Microsemi
分立半导体
整流器
100:¥157.9062
200:¥144.8434
500:¥137.9278
参考库存:38942
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