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分立半导体
APT100GN60LDQ4G参考图片

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APT100GN60LDQ4G

  • Microsemi
  • 最新
  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi
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数量单价合计
1
¥113.8023
113.8023
10
¥103.4289
1034.289
25
¥95.6658
2391.645
50
¥90.4452
4522.26
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-264-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
229 A
Pd-功率耗散
625 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
229 A
高度
5.21 mm
长度
26.49 mm
工作温度范围
- 55 C to + 175 C
宽度
20.5 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
229 A
栅极—射极漏泄电流
600 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
10.600 g
商品其它信息
优势价格，APT100GN60LDQ4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMBZ5222BLT1G
ON Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 2.5V 225mW
1:¥1.1526
10:¥1.01474
100:¥0.3616
1,000:¥0.23843
3,000:¥0.18419
参考库存:153384
SMV1245-079LF
Skyworks Solutions, Inc.
分立半导体
变容二极管 Ls.7nH SC-79 Single
1:¥2.9154
10:¥2.5312
100:¥1.8984
500:¥1.4916
3,000:¥1.02152
6,000:查看
参考库存:4616
1N5365BG
ON Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 36V 5W
1:¥3.5369
10:¥2.6442
100:¥1.4238
1,000:¥1.07576
参考库存:41653
BZT52C39-TP
Micro Commercial Components (MCC)
分立半导体
稳压二极管 500mW 39V
1:¥1.695
10:¥1.13
100:¥0.5537
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.24634
参考库存:15740
CMS11(TE12L,Q,M)
Toshiba
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Diode Schottky 40V 2A
1:¥4.9155
10:¥3.6612
100:¥2.3052
1,000:¥1.7289
3,000:¥1.4803
参考库存:20607
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