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分立半导体
MMBT5551LT3G参考图片

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MMBT5551LT3G

  • ON Semiconductor
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 600mA 160V NPN
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数量单价合计
1
¥1.5368
1.5368
10
¥1.3673
13.673
100
¥0.48364
48.364
1,000
¥0.32318
323.18
10,000
¥0.2147
2147
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
160 V
集电极—基极电压 VCBO
140 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
0.15 V
最大直流电集电极电流
0.6 A
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MMBT5551L
高度
0.94 mm
长度
2.9 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.3 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
0.6 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
80
Pd-功率耗散
225 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
10000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,MMBT5551LT3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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参考库存:51526
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