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分立半导体
PBSS5160QAZ参考图片

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PBSS5160QAZ

  • Nexperia
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60 V, 1A PNP low VCE sat (BISS) transi
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数量单价合计
1
¥2.9945
2.9945
10
¥2.0792
20.792
100
¥0.95259
95.259
1,000
¥0.73789
737.89
5,000
¥0.62263
3113.15
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-1010D-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 60 V
集电极—基极电压 VCBO
- 60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 7 V
集电极—射极饱和电压
- 125 mV
最大直流电集电极电流
- 1.5 A
增益带宽产品fT
150 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Nexperia
集电极连续电流
- 1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
160 at - 100 mA, - 2 V
Pd-功率耗散
325 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
5000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,PBSS5160QAZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 Ultrafast High EFF Recovery Diode
1:¥21.2892
10:¥18.0574
100:¥14.4414
500:¥12.6786
1,000:¥10.5316
3,000:¥9.7632
参考库存:47179
分立半导体
PIN 二极管 .3pF -40C +150C Thrshld Lvl +10 dBm
1:¥14.5996
10:¥13.1419
25:¥11.9102
100:¥10.5994
3,000:¥6.7122
6,000:查看
参考库存:81976
分立半导体
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
1:¥12.3735
10:¥10.5316
100:¥8.3733
500:¥7.3676
2,500:¥5.6839
5,000:查看
参考库存:16953
分立半导体
MOSFET N-channel 600 V, 0.255 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package
1:¥29.5043
10:¥25.1312
100:¥21.7412
250:¥20.6677
500:¥18.5207
参考库存:4630
分立半导体
450:¥25.7414
900:¥23.052
1,350:¥19.436
2,700:¥18.5207
参考库存:53197
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