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分立半导体
KSA733GBU参考图片

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KSA733GBU

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数量单价合计
1
¥1.7628
1.7628
10
¥1.1639
11.639
100
¥0.48364
48.364
1,000
¥0.32996
329.96
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 50 V
集电极—基极电压 VCBO
- 60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极—射极饱和电压
- 0.18 V
最大直流电集电极电流
0.15 A
增益带宽产品fT
180 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
KSA733
直流电流增益 hFE 最大值
700
高度
4.7 mm
长度
4.7 mm
封装
Bulk
宽度
3.93 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
- 0.15 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
40
Pd-功率耗散
250 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
10000
子类别
Transistors
单位重量
179 mg
商品其它信息
优势价格,KSA733GBU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS:
1:¥6.9156
10:¥5.876
100:¥4.5087
500:¥3.9889
1,000:¥3.1527
2,500:¥3.1527
参考库存:19846
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky Rectifier
暂无价格
参考库存:44900
分立半导体
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
1:¥14.0572
10:¥11.9893
100:¥9.605
500:¥8.3733
800:¥6.9156
参考库存:44905
分立半导体
IGBT 模块 ACEPACK 2 converter inverter brake, 650 V, 50 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTC
1:¥405.7943
5:¥396.7204
10:¥378.5952
25:¥362.6848
参考库存:44910
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2.6GHz 50W NI780-4S4
1:¥607.262
5:¥589.5888
10:¥576.9893
25:¥552.7056
250:¥490.081
参考库存:44915
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