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分立半导体
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IPB200N25N3 G

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数量单价合计
1
¥47.4148
47.4148
10
¥42.8722
428.722
25
¥40.8834
1022.085
100
¥35.4255
3542.55
1,000
¥26.894
26894
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
250 V
Id-连续漏极电流
64 A
Rds On-漏源导通电阻
17.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
86 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
类型
OptiMOS 3 Power-Transistor
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
61 S
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
45 ns
典型接通延迟时间
18 ns
零件号别名
IPB200N25N3GATMA1 IPB2N25N3GXT SP000677896
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IPB200N25N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VS-ST180C14C0L
Vishay Semiconductors
分立半导体
SCR Thyristors - A-PUK
1:¥631.6248
5:¥619.1722
10:¥593.2839
25:¥574.153
参考库存:3723
BZX79C3V9-T50A
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
稳压二极管 3.9V 0.5W Zener
1:¥1.07576
10:¥0.92999
100:¥0.32996
1,000:¥0.22261
5,000:¥0.1695
参考库存:9830
BZG04-11-HM3-08
Vishay
分立半导体
稳压二极管 Uni-direc 300W Pppm SMA (DO-214AC)
1:¥4.5313
10:¥3.4917
100:¥2.599
500:¥2.1357
1,500:¥1.5029
4,500:查看
参考库存:11182
ALD810025SCL
Advanced Linear Devices
分立半导体
MOSFET Quad MOSFET ARRAY Vt=2.50V
1:¥31.1202
10:¥27.8206
25:¥25.0521
50:¥24.3628
参考库存:3699
ZM4746A L0
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 18 Volt 1 Watt 5%
1:¥3.616
10:¥2.6103
100:¥1.5255
1,000:¥0.64523
5,000:¥0.56048
参考库存:95686
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