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分立半导体
VP0109N3-G参考图片

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VP0109N3-G

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数量单价合计
1
¥6.3732
6.3732
10
¥6.3167
63.167
25
¥5.2997
132.4925
100
¥4.8251
482.51
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
90 V
Id-连续漏极电流
250 mA
Rds On-漏源导通电阻
8 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Bulk
高度
5.33 mm
长度
5.21 mm
晶体管类型
1 P-Channel
类型
FET
宽度
4.19 mm
商标
Microchip Technology
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
8 ns
典型接通延迟时间
4 ns
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格,VP0109N3-G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
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10:¥2.3956
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9,000:查看
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100:¥4.5539
500:¥4.0228
1,000:¥3.1753
参考库存:13322
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