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分立半导体
BULB49DT4参考图片

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BULB49DT4

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Hi Vltg Fast Swtchng NPN Pwr Transistor
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数量单价合计
1
¥6.9156
6.9156
10
¥5.9212
59.212
100
¥4.5539
455.39
500
¥4.0228
2011.4
1,000
¥3.1753
3175.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
D2PAK-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
450 V
集电极—基极电压 VCBO
850 V
发射极 - 基极电压 VEBO
10 V
最大直流电集电极电流
5 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BULB49D
高度
4.6 mm (Max)
长度
10.4 mm (Max)
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
9.35 mm (Max)
商标
STMicroelectronics
Pd-功率耗散
80000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格，BULB49DT4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STP141NF55
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET POWER MOSFET
1:¥21.4361
10:¥18.2156
100:¥14.5996
500:¥12.7577
参考库存:5992
IPB530N15N3 G
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 150V 21A D2PAK-2 OptiMOS 3
1:¥12.1362
10:¥10.3734
100:¥7.91
500:¥7.0512
1,000:¥5.5709
参考库存:5324
BSP373N H6327
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 100V 1.8A SOT-223-3
1:¥5.3788
10:¥4.4974
100:¥2.9041
1,000:¥2.3278
参考库存:11666
SS10PH45-M3/86A
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 10 Amp 45 Volt 200 Amp IFSM
1:¥4.8364
10:¥3.7403
100:¥2.7798
500:¥2.2826
1,500:¥1.6046
4,500:查看
参考库存:22918
BTB24-800BRG
STMicroelectronics
分立半导体
双向可控硅 25 Amp 800 Volt
1:¥19.1309
10:¥16.2155
100:¥12.9837
500:¥11.3678
参考库存:6520
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