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分立半导体
UF3C065080K4S参考图片

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UF3C065080K4S

  • UnitedSiC
  • 最新
  • MOSFET 650V 80m? SiC Cascode Fast
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数量单价合计
1
¥179.3423
179.3423
5
¥171.2741
856.3705
10
¥165.9744
1659.744
25
¥152.5274
3813.185
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
UnitedSiC
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
SiC
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
31 A
Rds On-漏源导通电阻
100 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
51 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
190 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Tube
系列
UF3C
晶体管类型
1 N-Channel
商标
UnitedSiC
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
30
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
37 ns
典型接通延迟时间
21 ns
商品其它信息
优势价格，UF3C065080K4S的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMSZ5258B-HE3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 36 Volt 0.5W 5% AUTO
1:¥2.3052
10:¥1.5029
100:¥0.73789
500:¥0.63054
10,000:¥0.27685
20,000:查看
参考库存:36554
BZT52C68-HE3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 68 Volt 0.41W 5% AUTO
1:¥2.3052
10:¥1.5029
100:¥0.73789
500:¥0.63054
10,000:¥0.27685
20,000:查看
参考库存:36559
MMSZ4701-HE3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 14 Volt 0.5W 5% AUTO
1:¥2.3052
10:¥1.5029
100:¥0.73789
500:¥0.63054
3,000:¥0.37629
6,000:查看
参考库存:36564
TLZ39D-GS18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 39 Volt 0.5 Watt IR = 0.04uA
1:¥1.8419
10:¥1.5368
100:¥0.65314
500:¥0.54579
10,000:¥0.23843
20,000:查看
参考库存:36569
MMBZ4626-G3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 5.6 Volt 0.225W 5%
1:¥2.0792
10:¥1.4012
100:¥0.68365
500:¥0.58421
10,000:¥0.26103
20,000:查看
参考库存:36574
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