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分立半导体
RS1G150MNTB参考图片

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RS1G150MNTB

  • ROHM Semiconductor
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  • MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
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数量单价合计
1
¥6.9947
6.9947
10
¥5.7969
57.969
100
¥3.729
372.9
1,000
¥2.9945
2994.5
2,500
¥2.5312
6328
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
HSOP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
15 A
Rds On-漏源导通电阻
7.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
15 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
25 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
4.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.7 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
31 ns
典型接通延迟时间
12.7 ns
零件号别名
RS1G150MN
商品其它信息
优势价格，RS1G150MNTB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTX1N4130CUR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥188.5631
200:¥173.0482
500:¥164.6636
参考库存:37962
JANTXV1N759DUR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥161.59
200:¥148.3012
500:¥141.1596
参考库存:37967
JAN1N3020DUR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥259.9452
200:¥242.5884
参考库存:37972
JANTXV2N2369AUB
Microsemi
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥256.1823
250:¥235.1304
参考库存:37977
JAN2N3418S
Microsemi
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥159.2848
250:¥146.1542
500:¥139.1595
参考库存:37982
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