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分立半导体
NGTB40N60L2WG参考图片

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NGTB40N60L2WG

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • IGBT 晶体管 600V/40A FAST IGBT FSII T
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数量单价合计
1
¥46.104
46.104
10
¥39.1884
391.884
100
¥33.9678
3396.78
250
¥32.2728
8068.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
417 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
80 A
商标
ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
30
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,NGTB40N60L2WG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 3.6 Volt 0.2W 2%
1:¥2.6103
10:¥1.7628
100:¥0.86106
500:¥0.73789
3,000:¥0.43844
6,000:查看
参考库存:138234
分立半导体
SCR THYRISTOR 12A 500V
1:¥4.6104
10:¥3.8081
100:¥2.4634
1,000:¥1.9662
参考库存:24206
分立半导体
达林顿晶体管 SS DL XSTR NPN 80V
1:¥3.4578
10:¥2.6329
100:¥1.4238
1,000:¥1.06785
4,000:¥0.92208
参考库存:34108
分立半导体
JFET JFET N-Channel -40V 50mA 360mW 3.27mW
1:¥26.7358
10:¥21.5152
100:¥17.6732
500:¥15.8313
参考库存:13670
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS BISS TAPE-7
1:¥2.8476
10:¥1.9323
100:¥0.80682
1,000:¥0.5537
10,000:¥0.36838
20,000:查看
参考库存:238912
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