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分立半导体
BSC009NE2LS参考图片

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BSC009NE2LS

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数量单价合计
1
¥13.5261
13.5261
10
¥11.526
115.26
100
¥9.2208
922.08
500
¥8.0682
4034.1
1,000
¥6.6896
6689.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
168 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
96 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
85 S
下降时间
19 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
33 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
48 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
BSC009NE2LSATMA1 BSC9NE2LSXT SP000893362
单位重量
116 mg
商品其它信息
优势价格,BSC009NE2LS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
分立半导体模块 25A 120VAC MODULE SCR/DIODE
1:¥480.0918
10:¥457.5031
25:¥446.9828
50:¥436.4512
100:¥423.7726
参考库存:43933
分立半导体
SCR 8A 200uA 400V
1:¥10.0683
10:¥7.9891
100:¥6.1811
500:¥5.4579
1,000:¥4.2262
参考库存:43938
分立半导体
IGBT 模块 1200V 100A DUAL
1:¥1,120.2481
5:¥1,098.2696
10:¥1,047.0241
25:¥1,025.0456
参考库存:5583
分立半导体
双向可控硅 40V 16A 20mA HI TEMP TO-220AB Non-Isolate
1:¥22.5096
10:¥18.1365
100:¥14.5205
500:¥12.7577
1,000:¥10.5316
参考库存:43945
分立半导体
双向可控硅 1000V 8A 50-50-50mA
1:¥18.6676
10:¥15.0629
100:¥12.0684
500:¥10.5316
1,000:¥8.7575
参考库存:43950
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