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分立半导体
RF4E080BNTR参考图片

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RF4E080BNTR

  • ROHM Semiconductor
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  • MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
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数量单价合计
1
¥4.6895
4.6895
10
¥3.8759
38.759
100
¥2.5086
250.86
1,000
¥2.0001
2000.1
3,000
¥1.695
5085
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN2020-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
8 A
Rds On-漏源导通电阻
17.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
14.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
RF4E080BN
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值
5 S
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
33 ns
典型接通延迟时间
8 ns
零件号别名
RF4E080BN
商品其它信息
优势价格,RF4E080BNTR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-CH 650V 0.215Ohm 15A MDmesh M5
1:¥32.5779
10:¥27.6624
100:¥23.9786
250:¥22.7469
3,000:¥16.3624
参考库存:13189
分立半导体
MOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
1:¥17.1308
10:¥14.5996
100:¥11.6842
500:¥10.2152
2,500:¥7.8422
5,000:查看
参考库存:10476
分立半导体
MOSFET P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥7.458
10:¥6.0229
100:¥4.5765
500:¥3.7855
3,000:¥2.7346
6,000:查看
参考库存:389338
分立半导体
MOSFET 20V Vds 8V Vgs PowerPAK ChipFET
1:¥10.3734
10:¥9.1417
100:¥7.2433
500:¥5.6161
1,000:¥4.4296
3,000:¥4.0228
参考库存:13940
分立半导体
整流器 RECTIFIER
1:¥152.1432
5:¥150.6064
10:¥140.3912
25:¥134.0858
100:¥119.8704
参考库存:2897
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