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分立半导体
SI5517DU-T1-GE3参考图片

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SI5517DU-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 20V Vds 8V Vgs PowerPAK ChipFET
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数量单价合计
1
¥10.3734
10.3734
10
¥9.1417
91.417
100
¥7.2433
724.33
500
¥5.6161
2808.05
1,000
¥4.4296
4429.6
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-ChipFET-Dual-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
6 A
Rds On-漏源导通电阻
39 mOhms, 72 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
16 nC, 14 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
8.3 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SI54
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
22 S, 9 S
下降时间
10 ns, 55 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
65 ns, 35 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns, 40 ns
典型接通延迟时间
20 ns, 8 ns
零件号别名
SI5517DU-GE3
商品其它信息
优势价格，SI5517DU-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FDP047N08
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
MOSFET 75V N-Channel PowerTrench
1:¥23.278
10:¥19.8202
100:¥17.2099
250:¥16.2946
参考库存:7462
BYV32E-200,127
WeEn Semiconductors
分立半导体
整流器 FAST DUAL 20A 200V
1:¥9.4468
10:¥7.7631
100:¥5.9551
500:¥5.2658
参考库存:23464
NJL3281DG
ON Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN BIPPWR THERM TRAK
1:¥36.6572
10:¥31.1202
100:¥27.0522
250:¥25.6623
参考库存:7301
IRFPF40PBF
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET N-CH 900V HEXFET MOSFET
1:¥28.1257
10:¥23.278
100:¥19.21
250:¥18.5998
参考库存:4278
FDS8449
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
MOSFET 40V N-Ch UltraFET PowerTrench
1:¥7.0738
10:¥5.9212
100:¥3.8194
1,000:¥3.0623
2,500:¥3.0623
参考库存:55495
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