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分立半导体
SI5517DU-T1-GE3参考图片

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SI5517DU-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 20V Vds 8V Vgs PowerPAK ChipFET
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数量单价合计
1
¥10.3734
10.3734
10
¥9.1417
91.417
100
¥7.2433
724.33
500
¥5.6161
2808.05
1,000
¥4.4296
4429.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-ChipFET-Dual-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
6 A
Rds On-漏源导通电阻
39 mOhms, 72 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
16 nC, 14 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
8.3 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SI54
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
22 S, 9 S
下降时间
10 ns, 55 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
65 ns, 35 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns, 40 ns
典型接通延迟时间
20 ns, 8 ns
零件号别名
SI5517DU-GE3
商品其它信息
优势价格，SI5517DU-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
L0109NERP
Littelfuse
分立半导体
双向可控硅 SEN TRIAC 1A 800V 10 10 10 10 MA
1:¥5.1528
10:¥3.8081
100:¥2.7459
500:¥2.3956
2,000:¥1.5255
10,000:查看
参考库存:47112
BAS 52-02V H6433
Infineon Technologies
分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关 AF SCHOTTKY DIODE
1:¥2.9154
10:¥2.0114
100:¥0.92999
1,000:¥0.71416
10,000:¥0.5537
20,000:查看
参考库存:47117
VS-MBRB1535CTR-M3
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky - D2PAK-e3
1:¥11.1418
10:¥9.1417
100:¥7.006
500:¥6.0229
参考库存:47122
SMAZ5931B-M3/5A
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 1.5W,18V 5%,SMA ZENER
1:¥4.4522
10:¥2.5764
100:¥1.5029
500:¥1.2204
参考库存:47127
BZX84W-B4V3F
Nexperia
分立半导体
稳压二极管 BZX84W-B4V3 SC-70
1:¥1.6159
10:¥1.07576
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
参考库存:47132
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