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分立半导体
SI7913DN-T1-E3参考图片

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SI7913DN-T1-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8
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数量单价合计
1
¥12.9046
12.9046
10
¥10.5994
105.994
100
¥8.1473
814.73
500
¥6.9947
3497.35
1,000
¥5.5257
5525.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-1212-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
7.4 A
Rds On-漏源导通电阻
37 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
24 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.8 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
3.3 mm
系列
SI7
晶体管类型
2 P-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
20 S
下降时间
150 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
70 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
72 ns
典型接通延迟时间
20 ns
零件号别名
SI7913DN-E3
商品其它信息
优势价格，SI7913DN-T1-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SBCP56-16T1G
ON Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SBN SSP SOT223 NPN
1:¥4.2262
10:¥3.4578
100:¥2.1018
1,000:¥1.6272
2,000:¥1.3899
参考库存:533245
MURA120T3G
ON Semiconductor
分立半导体
整流器 200V 1A UltraFast
1:¥3.5369
10:¥2.5086
100:¥1.1526
1,000:¥0.88366
5,000:¥0.75258
参考库存:414787
CSD16340Q3
Texas Instruments
分立半导体
MOSFET N Channel NexFET Power MOSFET
1:¥8.2942
10:¥7.0738
100:¥5.4353
500:¥4.8138
2,500:¥3.3674
10,000:查看
参考库存:163699
CSD13202Q2
Texas Instruments
分立半导体
MOSFET N-CH Power MOSFET 12V 9.3mohm
1:¥4.068
10:¥3.3787
100:¥2.0566
1,000:¥1.582
3,000:¥1.356
参考库存:134601
IF4500
InterFET
分立半导体
JFET JFET N-Channel -20V 10mA 225mW 1.8mW
1:¥35.5724
10:¥28.589
100:¥23.4362
500:¥21.131
参考库存:18928
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