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分立半导体
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R6030ENZC8

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数量单价合计
1
¥40.8834
40.8834
10
¥34.7362
347.362
100
¥30.1258
3012.58
360
¥28.5099
10263.564
720
¥25.5832
18419.904
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3PF-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
115 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
85 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
120 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
Super Junction-MOS EN
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值
8 S
下降时间
60 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
55 ns
工厂包装数量
360
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
190 ns
典型接通延迟时间
40 ns
零件号别名
R6030ENZ
单位重量
10 mg
商品其它信息
优势价格，R6030ENZC8的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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