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分立半导体
IPS80R900P7AKMA1参考图片

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IPS80R900P7AKMA1

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数量单价合计
1
¥9.379
9.379
10
¥7.9891
79.891
100
¥6.1811
618.11
500
¥5.4579
2728.95
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
IPAK-SL-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
6 A
Rds On-漏源导通电阻
770 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
15 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
45 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
系列
CoolMOS P7
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
1500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
IPS80R900P7 SP001633526
商品其它信息
优势价格,IPS80R900P7AKMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS PNP 200mW
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12:¥1,013.5196
30:¥992.2304
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