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分立半导体
ZVN3306A参考图片

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ZVN3306A

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数量单价合计
1
¥5.537
5.537
10
¥4.6443
46.443
100
¥2.9945
299.45
1,000
¥2.3956
2395.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
270 mA
Rds On-漏源导通电阻
5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
625 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Bulk
高度
4.01 mm
长度
4.77 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
ZVN3306
晶体管类型
1 N-Channel
类型
FET
宽度
2.41 mm
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
150 mS
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
6 ns
典型接通延迟时间
5 ns
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格,ZVN3306A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥9.5259
10:¥8.0682
100:¥6.2037
500:¥5.4805
1,000:¥4.3279
2,500:¥4.3279
参考库存:17084
分立半导体
MOSFET
1:¥30.51
10:¥25.8996
100:¥22.4418
250:¥21.2892
参考库存:14586
分立半导体
MOSFET -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70-6L
1:¥3.842
10:¥2.8928
100:¥2.147
500:¥1.7628
3,000:¥1.243
6,000:查看
参考库存:24788
分立半导体
MOSFET 40V N-Channel Power Trench
1:¥14.9838
10:¥12.7577
100:¥10.2152
500:¥8.9157
1,000:¥7.4128
3,000:¥7.4128
参考库存:5270
分立半导体
MOSFET 20V N-Ch Enh FET 8Vgss .52W 71pF
1:¥3.2996
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
2,500:¥1.11418
10,000:¥1.11418
参考库存:33142
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