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分立半导体
BSD235NH6327XTSA1参考图片

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BSD235NH6327XTSA1

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数量单价合计
1
¥2.6103
2.6103
10
¥2.0453
20.453
100
¥1.10627
110.627
1,000
¥0.82942
829.42
3,000
¥0.71416
2142.48
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
950 mA
Rds On-漏源导通电阻
266 mOhms, 266 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
700 mV
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
320 pC, 320 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
0.9 mm
长度
2 mm
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
1.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
2 S, 2 S
下降时间
1.2 ns, 1.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.6 ns, 3.6 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
4.5 ns, 4.5 ns
典型接通延迟时间
3.8 ns, 3.8 ns
零件号别名
BSD235N H6327 SP000917652
单位重量
7.500 mg
商品其它信息
优势价格,BSD235NH6327XTSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 1A, 1000V, GP SMF FAST RECOVERY
1:¥3.5369
10:¥3.2318
100:¥2.1131
1,000:¥0.70738
1,800:¥0.58421
参考库存:26798
分立半导体
整流器 0,5A, 1000V, SMF FAST RECOVERY
1:¥3.7629
10:¥3.4578
100:¥2.2487
1,000:¥0.75258
10,000:¥0.48364
20,000:查看
参考库存:26803
分立半导体
整流器 3A, 600V SMC Ultar fast GP
1:¥3.6838
10:¥3.1527
100:¥2.3391
250:¥2.034
850:¥1.2882
1,700:查看
参考库存:26808
分立半导体
肖特基二极管与整流器 3A,100V, SMD SCHOTTKY RECTIFIER
1:¥3.842
10:¥3.2318
25:¥2.825
100:¥2.4295
1,800:¥1.2204
3,600:查看
参考库存:26813
分立半导体
肖特基二极管与整流器 50 Volt 1.0 Amp 30 Amp IFSM
1:¥3.6838
10:¥3.0736
25:¥2.7007
100:¥2.3165
5,000:¥1.09158
参考库存:26818
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