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分立半导体
DXT13003DG-13参考图片

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DXT13003DG-13

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100V NPN 450V Trans 1.3A 3W 4MHz 400mV
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数量单价合计
1
¥3.616
3.616
10
¥2.9945
29.945
100
¥1.8306
183.06
1,000
¥1.4125
1412.5
2,500
¥1.2091
3022.75
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
450 V
发射极 - 基极电压 VEBO
9 V
集电极—射极饱和电压
400 mV
最大直流电集电极电流
3 A
增益带宽产品fT
4 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
DXT13003
直流电流增益 hFE 最大值
40
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
1.3 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
5 at 1 A, 2 V
Pd-功率耗散
3 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
单位重量
112 mg
商品其它信息
优势价格，DXT13003DG-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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1,000:¥6.8252
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1:¥4.8364
10:¥3.8759
100:¥2.938
500:¥2.4408
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1:¥10.9836
10:¥8.7575
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1,000:¥4.7234
参考库存:14442
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